Нитриды

Слово нитрид

Слово нитрид английскими буквами(транслитом) — nitrid

Слово нитрид состоит из 6 букв: д и и н р т

Значения слова нитрид. Что такое нитрид?

Нитриды

НИТРИДЫ, соед. азота с металлами и более электроположительными, чем N, неметаллами. По типу хим. связи нитриды делят на ионные, ковалентные и металлоподобные (ион-но-ковалентно-металлические).

Химическая энциклопедия

НИТРИДЫ — соед. азота с металлами и более электроположительными, чем N, неметаллами. По типу хим. связи Н. делят на ионные, ковалентные и металлоподобные (ион-но-ковалентно-металлические).

Химическая энциклопедия. — 1988

Нитриды — соединения азота с менее электроотрицательными элементами, например, с металлами (AlN;TiNx;Na3N;Ca3N2;Zn3N2; и т. д.) и с рядом неметаллов (NH3, BN, Si3N4).

ru.wikipedia.org

Нитрид лития

Нитрид галлия

Нитрид галлия — бинарное неорганическое химическое соединение галлия и азота. При обычных условиях очень твёрдое вещество с кристаллической структой типа вюрцита. Прямозонный полупроводник с широкой запрещённой зоной — 3,4 эВ (при 300 K)…

ru.wikipedia.org

Нитрид титана

Нитрид титана — бинарное химическое соединение титана с азотом. Представляет собой фазу внедрения с широкой областью гомогенности, которая составляет от 14,8 до 22,6 % азота (по массе), что можно обозначить брутто-формулами от TiN0,60 до TiN1…

ru.wikipedia.org

ТИТАНА НИТРИД, соед. состава TiNx (x = 0,58-1,00), представляющее собой фазу внедрения с широкой областью гомогенности; кристаллы с кубич. решеткой типа NaCl (а = 0,422-0,424 нм, пространств. группа Fm3m); т. пл. 2947 °С; плотн.

Химическая энциклопедия

ТИТАНА НИТРИД — соед. состава TiNx (x = 0,58-1,00), представляющее собой фазу внедрения с широкой областью гомогенности; кристаллы с кубич. решеткой типа NaCl (а = 0,422-0,424 нм, пространств. группа Fm3m); т. пл. 2947 °С; плотн.

Химическая энциклопедия. — 1988

Нитрид трииода

Нитрид трииода (иногда иодистый азот) — чрезвычайно взрывчатое неорганическое соединение с формулой I3N. Обычно известен в виде чёрно-коричневых кристаллов — аддукта с аммиаком I3N·nNH3 (аммиаката)…

ru.wikipedia.org

Нитрид алюминия

Нитри́д алюми́ния (алюмонитри́д) — бинарное неорганическое химическое соединение алюминия с азотом. Химическая формула — AlN. Нитрид алюминия был впервые синтезирован в 1877 году…

ru.wikipedia.org

АЛЮМИНИЯ НИТРИД A1N, бесцв. кристаллы с гексагональной решеткой типа вюрцита (а = 0,31 нм, с = = 0,4975 нм, z = 2, пространств. группа Р63mс); т. пл. 2430±200°С; плотн. 3,12 г/см3; С°р 30,1 ДжДмоль*К);H°пл ок.

Химическая энциклопедия Алюминия нитрид Синонимы: алюминий азотистый Внешний вид: бесцветн. гексагональные кристаллы Брутто-формула (система Хилла): AlN Молекулярная масса (в а.е.м.)…
www.xumuk.ru

Бора нитрид

БОРА НИТРИД BN. При обычных условиях устойчива графитоподобнаямодификация: т. пл. ок. 3000°С; С°р 19,71 Дж/(моль*К); 81 кДж/моль, — 250,5 кДж/моль; So298 14,81 Дж/(моль*К); давление пара над твердым BN при 2000 К 5 Па…

Химическая энциклопедия

Нитрид бора — бинарное соединение бора и азота. Химическая формула: BN. Кристаллический нитрид бора изоэлектронен углероду и, подобно ему, существует в нескольких аллотропных модификациях.

ru.wikipedia.org

Бора нитрид, BN, соединение бора с азотом. Б. н. получают из элементов при t выше 2000°С или при нагревании смеси B₂O₃ с восстановителями (углём, магнием) в атмосфере аммиака; при этом образуется обычная a-форма BN — белый, похожий на тальк порошок…

БСЭ. — 1969—1978

УРАНА НИТРИДЫ

УРАНА НИТРИДЫ: нитрид UN, сесквинитрид U2N3 и ди-нитрид UN2, черные (UN серые или черные) кристаллы (табл.). Урана нитриды легко окисляются на воздухе, разлагаются парами воды, трудно раств. в к-тах, инертны к действию р-ров щелочей…

Химическая энциклопедия

УРАНА НИТРИДЫ : нитрид UN, сесквинитрид U 2N 3 и ди-нитрид UN 2, черные (UN серые или черные) кристаллы (табл.). У. н. легко окисляются на воздухе, разлагаются парами воды, трудно раств. в к-тах, инертны к действию р-ров щелочей…

Химическая энциклопедия. — 1988

Кремния нитрид

КРЕМНИЯ НИТРИД Si3N4, желтоватые кристаллы; цвет поликристаллич. кремния нитрида изменяется от белого до серого. Известен в двух модификациях a и b; кристаллич.

Химическая энциклопедия

КРЕМНИЯ НИТРИД Si 3N 4, желтоватые кристаллы; цвет поликристаллич. К. н. изменяется от белого до серого. Известен в двух модификациях a и b; кристаллич.

Химическая энциклопедия. — 1988

Кремния нитрид Внешний вид: бесцветн. гексагональные кристаллы Брутто-формула (система Хилла): N4Si3 Формула в виде текста: Si3N4 Молекулярная масса (в а.е.м.)…

www.xumuk.ru

ПЛУТОНИЯ НИТРИД

ПЛУТОНИЯ НИТРИД PuN, черные кристаллы с гранецентрир. кубич. решеткой типа NaCl (а = 0,4905 нм, z = 4, пространств. группа Рт3т; параметр решетки увеличивается со временем под действием собств. a-излучения плутония нитрида); т. пл. 25890C…

Химическая энциклопедия

ПЛУТОНИЯ НИТРИД PuN, черные кристаллы с гранецентрир. кубич. решеткой типа NaCl (а =0,4905 нм, z =4, пространств. группа Рт3 т; параметр решетки увеличивается со временем под действием собств. a-излучения П. н.); т. пл. 25890C (с разл.); плотн.

Химическая энциклопедия. — 1988

Русский язык

Нитр/и́д/ (соль азотистой кислоты).

Морфемно-орфографический словарь. — 2002

Примеры употребления слова нитрид

При окончательной отделке покрытия также применяется нитрид кремния и специальные стеклянные шарики.

Разработана технология изготовления приборов нитрида галлия на кремниевой подложке диаметром 150 мм

Нитриды галлия постепенно приходят на смену арсениду галлия: они позволяют получать более мощные приборы СВЧ-диапазона, работающие при более высоких температурах. До сегодняшнего дня в нашей стране создавались приборы нитрида галлия на кремнии диаметром менее 100 мм.

В лаборатории элементной базы наноэлектроники кафедры «Квантовая физика и наноэлектроника» МИЭТ создали технологию, позволяющую работать с пластинами нитрида галлия на кремниевой подложке диаметром 150 мм.

Это достижение миэтовских ученых стало прорывным в области технологий по СВЧ-элементной базе и вошло в программу развития Центра компетенций НТИ «Сенсорика», открытого на базе МИЭТ в прошлом году.

Первые пробы и результат

Физические принципы и формирования приборов нитридной группы были заложены и сформулированы еще нобелевским лауреатом Ж.И. Алферовым в те годы, когда он со своей командой занимался лазерами.

Именно на основе его разработок стали изготавливать детали и микросхемы для СВЧ-техники – нитридные гетероструктуры. Однако цена таких микросхем была огромной, потому что материалы подложки (того, на чем они держались) стоили огромных денег.

Однако перейти на больший диаметр не позволяло отсутствие отработанных надежных технологий изготовления. Поэтому стали искать возможности изготовить нитрид галлия на кремнии: сначала они были реализованы за рубежом, а потом и у нас.

Первые отечественные приборы были созданы в МИЭТ в 2012-м году на подложках нитрида галлия на кремнии диаметром 50 мм. Сначала они, конечно, были не очень хорошего качества, но принцип изготовления был применен. А в 2017-м МИЭТ вплотную подошел к тому, чтобы изготавливать нитрид галлия на приборы на подложках кремния диаметром 150 мм.

«Мы понимали, что если у нас это получится, то мы будем обладать технологиями мирового уровня, — рассказывает ведущий научный сотрудник МИЭТ, заведующий лабораторией «Элементная база наноэлектроники» кафедры «Квантовая физика и наноэлектроника» Владимир Егоркин. — Фирмы с мировым именем держат в секрете технологии изготовления таких пластин и составы рабочих структур, при том, что бизнес уже давно говорит о мощнейших характеристиках приборов на них».

Действительно, за рубежом есть даже такая услуга для компаний: вам проводят выращивание структуры по вашему заданию, при этом вся ответственность за «дизайн» структуры лежит на заказчике.

Ведь чтобы понять и смоделировать такую структуру, нужно быть высококвалифицированным специалистом в области физики полупроводниковых приборов.

Ученым МИЭТа удалось смоделировать, рассчитать и изготовить СВЧ приборы на пластинах диаметром 150 мм и создать экспериментальные образцы сверхмощных СВЧ-приборов, которые показали отличные характеристики, сравнимые с зарубежными аналогами.

«Овладев этой технологией, мы получили пробивное напряжение в районе 250 вольт! Сравните, у арсенида галлия, который использовался ранее, напряжение равняется 25-ти вольтам, — говорит Владимир Егоркин.

 — Такие мощности особенно важны для внедрения в России пятого поколения мобильной связи.

Количество подложек для производства СВЧ-приборов для телекоммуникаций можно сократить в два раза! Это, безусловно, существенно отразится на стоимости готовых микросхем».

Сейчас ученые МИЭТ находятся на этапе завершения процесса идеологии, создания алгоритмов и выбирают частотные диапазоны для того чтобы запустить производство микросхем на диаметре 150 мм для отечественных СВЧ-приборов нитрида галлия.

Как выращивается галлий на кремнии?

В первую очередь выращивается активная пленка, которая сама по себе состоит из нескольких слоев, выращенных друг за другом. Ее суммарная толщина колеблется в районе нескольких микрон.

Та часть, которая содержит в себе большие вольты, о которых мы говорили выше, сосредоточена как раз в толщине этого тонкопленочного материала.

После формирования пленки, на ней создаются рабочие структуры: транзисторы и микросхемы, которые выполняют функции, заложенные геометрией и топологией (травление, нанесение, нейтрализации, нанесения активных зон и т.д.) будущего СВЧ-прибора.

Чтобы обеспечить возможность подступиться к оставшейся толщине, на нее наклеивается матрица, которая держит всю эту конструкцию, и только после этого идет сошлифовка кремниевой части до 100 микрон. На остатке кремния доводятся все технологические операции контактирования с активными элементами. И только после такой ювелирной работы пластина разделяется на кристаллы, готовые для установки в СВЧ-приборы.

Первые пробы и результат

Физические принципы и формирования приборов нитридной группы были заложены и сформулированы еще нобелевским лауреатом Ж.И. Алферовым в те годы, когда он со своей командой занимался лазерами.

Именно на основе его разработок стали изготавливать детали и микросхемы для СВЧ-техники – нитридные гетероструктуры. Однако цена таких микросхем была огромной, потому что материалы подложки (того, на чем они держались) стоили огромных денег.

Когда задумались, как их удешевить, решили совместимость технологию, которая используется в мире для распространенных кремниевых подложек с диаметром 500 мм, и СВЧ-технологии с диаметром 50 мм (вот она – разница в цене). Трудозатраты при этом оставались теми же.

Однако перейти на больший диаметр не позволяло отсутствие отработанных надежных технологий изготовления. Поэтому стали искать возможности изготовить нитрид галлия на кремнии: сначала они были реализованы за рубежом, а потом и у нас.

Первые отечественные приборы были созданы в МИЭТ в 2012-м году на подложках нитрида галлия на кремнии диаметром 50 мм. Сначала они, конечно, были не очень хорошего качества, но принцип изготовления был применен. А в 2017-м МИЭТ вплотную подошел к тому, чтобы изготавливать нитрид галлия на приборы на подложках кремния диаметром 150 мм.

«Мы понимали, что если у нас это получится, то мы будем обладать технологиями мирового уровня, – рассказывает ведущий научный сотрудник МИЭТ, заведующий лабораторией «Элементная база наноэлектроники» кафедры «Квантовая физика и наноэлектроника» Владимир Егоркин.

– Фирмы с мировым именем держат в секрете технологии изготовления таких пластин и составы рабочих структур, при том, что бизнес уже давно говорит о мощнейших характеристиках приборов на них».

Действительно, за рубежом есть даже такая услуга для компаний: вам проводят выращивание структуры по вашему заданию, при этом вся ответственность за «дизайн» структуры лежит на заказчике.

Ведь чтобы понять и смоделировать такую структуру, нужно быть высококвалифицированным специалистом в области физики полупроводниковых приборов.

Ученым МИЭТа удалось смоделировать, рассчитать и изготовить СВЧ приборы на пластинах диаметром 150 мм и создать экспериментальные образцы сверхмощных СВЧ-приборов, которые показали отличные характеристики, сравнимые с зарубежными аналогами.

«Овладев этой технологией, мы получили пробивное напряжение в районе 250 вольт! Сравните, у арсенида галлия, который использовался ранее, напряжение равняется 25-ти вольтам, – говорит Владимир Егоркин.

– Такие мощности особенно важны для внедрения в России пятого поколения мобильной связи.

Количество подложек для производства СВЧ-приборов для телекоммуникаций можно сократить в два раза! Это, безусловно, существенно отразится на стоимости готовых микросхем».

Сейчас ученые МИЭТ находятся на этапе завершения процесса идеологии, создания алгоритмов и выбирают частотные диапазоны для того чтобы запустить производство микросхем на диаметре 150 мм для отечественных СВЧ-приборов нитрида галлия.

СПРАВКА:

Как выращивается галлий на кремнии?

В первую очередь выращивается активная пленка, которая сама по себе состоит из нескольких слоев, выращенных друг за другом. Ее суммарная толщина колеблется в районе нескольких микрон.

Та часть, которая содержит в себе большие вольты, о которых мы говорили выше, сосредоточена как раз в толщине этого тонкопленочного материала.

После формирования пленки, на ней создаются рабочие структуры: транзисторы и микросхемы, которые выполняют функции, заложенные геометрией и топологией (травление, нанесение, нейтрализации, нанесения активных зон и т.д.) будущего СВЧ-прибора.

Кремний – остается несущей основой, без которой с такими толщинами работать физически невозможно. После этого пленку начинают «утонять» до 100 микрон (исходно толщины кремниевой пластины могут составлять 675, 950 микрон).

Чтобы обеспечить возможность подступиться к оставшейся толщине, на нее наклеивается матрица, которая держит всю эту конструкцию, и только после этого идет сошлифовка кремниевой части до 100 микрон. На остатке кремния доводятся все технологические операции контактирования с активными элементами. И только после такой ювелирной работы пластина разделяется на кристаллы, готовые для установки в СВЧ-приборы.