Нитриды

Слово нитрид

Нитриды

Слово нитрид английскими буквами(транслитом) — nitrid

Слово нитрид состоит из 6 букв: д и и н р т

Значения слова нитрид. Что такое нитрид?

Нитриды

НИТРИДЫ, соед. азота с металлами и более электроположительными, чем N, неметаллами. По типу хим. связи нитриды делят на ионные, ковалентные и металлоподобные (ион-но-ковалентно-металлические).

Химическая энциклопедия

НИТРИДЫ — соед. азота с металлами и более электроположительными, чем N, неметаллами. По типу хим. связи Н. делят на ионные, ковалентные и металлоподобные (ион-но-ковалентно-металлические).

Химическая энциклопедия. — 1988

Нитриды — соединения азота с менее электроотрицательными элементами, например, с металлами (AlN;TiNx;Na3N;Ca3N2;Zn3N2; и т. д.) и с рядом неметаллов (NH3, BN, Si3N4).

ru.wikipedia.org

Нитрид лития

Нитрид лития — соединение щелочного металла лития и азота, зеленовато-чёрные или тёмно-красные кристаллы. Непосредственно из элементов: при комнатной температуре влажный азот медленно взаимодействует с литием…
ru.wikipedia.org

Нитрид галлия

Нитрид галлия — бинарное неорганическое химическое соединение галлия и азота. При обычных условиях очень твёрдое вещество с кристаллической структой типа вюрцита. Прямозонный полупроводник с широкой запрещённой зоной — 3,4 эВ (при 300 K)…

ru.wikipedia.org

Нитрид титана

Нитрид титана — бинарное химическое соединение титана с азотом. Представляет собой фазу внедрения с широкой областью гомогенности, которая составляет от 14,8 до 22,6 % азота (по массе), что можно обозначить брутто-формулами от TiN0,60 до TiN1…

ru.wikipedia.org

ТИТАНА НИТРИД, соед. состава TiNx (x = 0,58-1,00), представляющее собой фазу внедрения с широкой областью гомогенности; кристаллы с кубич. решеткой типа NaCl (а = 0,422-0,424 нм, пространств. группа Fm3m); т. пл. 2947 °С; плотн.

Химическая энциклопедия

ТИТАНА НИТРИД — соед. состава TiNx (x = 0,58-1,00), представляющее собой фазу внедрения с широкой областью гомогенности; кристаллы с кубич. решеткой типа NaCl (а = 0,422-0,424 нм, пространств. группа Fm3m); т. пл. 2947 °С; плотн.

Химическая энциклопедия. — 1988

Нитрид трииода

Нитрид трииода (иногда иодистый азот) — чрезвычайно взрывчатое неорганическое соединение с формулой I3N. Обычно известен в виде чёрно-коричневых кристаллов — аддукта с аммиаком I3N·nNH3 (аммиаката)…

ru.wikipedia.org

Нитрид алюминия

Нитри́д алюми́ния (алюмонитри́д) — бинарное неорганическое химическое соединение алюминия с азотом. Химическая формула — AlN. Нитрид алюминия был впервые синтезирован в 1877 году…

ru.wikipedia.org

АЛЮМИНИЯ НИТРИД A1N, бесцв. кристаллы с гексагональной решеткой типа вюрцита (а = 0,31 нм, с = = 0,4975 нм, z = 2, пространств. группа Р63mс); т. пл. 2430±200°С; плотн. 3,12 г/см3; С°р 30,1 ДжДмоль*К);H°пл ок.

Химическая энциклопедия Алюминия нитрид Синонимы: алюминий азотистый Внешний вид: бесцветн. гексагональные кристаллы Брутто-формула (система Хилла): AlN Молекулярная масса (в а.е.м.)…
www.xumuk.ru

Бора нитрид

БОРА НИТРИД BN. При обычных условиях устойчива графитоподобнаямодификация: т. пл. ок. 3000°С; С°р 19,71 Дж/(моль*К); 81 кДж/моль, — 250,5 кДж/моль; So298 14,81 Дж/(моль*К); давление пара над твердым BN при 2000 К 5 Па…

Химическая энциклопедия

Нитрид бора — бинарное соединение бора и азота. Химическая формула: BN. Кристаллический нитрид бора изоэлектронен углероду и, подобно ему, существует в нескольких аллотропных модификациях.

ru.wikipedia.org

Бора нитрид, BN, соединение бора с азотом. Б. н. получают из элементов при t выше 2000°С или при нагревании смеси B₂O₃ с восстановителями (углём, магнием) в атмосфере аммиака; при этом образуется обычная a-форма BN — белый, похожий на тальк порошок…

БСЭ. — 1969—1978

УРАНА НИТРИДЫ

УРАНА НИТРИДЫ: нитрид UN, сесквинитрид U2N3 и ди-нитрид UN2, черные (UN серые или черные) кристаллы (табл.). Урана нитриды легко окисляются на воздухе, разлагаются парами воды, трудно раств. в к-тах, инертны к действию р-ров щелочей…

Химическая энциклопедия

УРАНА НИТРИДЫ : нитрид UN, сесквинитрид U 2N 3 и ди-нитрид UN 2, черные (UN серые или черные) кристаллы (табл.). У. н. легко окисляются на воздухе, разлагаются парами воды, трудно раств. в к-тах, инертны к действию р-ров щелочей…

Химическая энциклопедия. — 1988

Кремния нитрид

КРЕМНИЯ НИТРИД Si3N4, желтоватые кристаллы; цвет поликристаллич. кремния нитрида изменяется от белого до серого. Известен в двух модификациях a и b; кристаллич.

Химическая энциклопедия

КРЕМНИЯ НИТРИД Si 3N 4, желтоватые кристаллы; цвет поликристаллич. К. н. изменяется от белого до серого. Известен в двух модификациях a и b; кристаллич.

Химическая энциклопедия. — 1988

Кремния нитрид Внешний вид: бесцветн. гексагональные кристаллы Брутто-формула (система Хилла): N4Si3 Формула в виде текста: Si3N4 Молекулярная масса (в а.е.м.)…

www.xumuk.ru

ПЛУТОНИЯ НИТРИД

ПЛУТОНИЯ НИТРИД PuN, черные кристаллы с гранецентрир. кубич. решеткой типа NaCl (а = 0,4905 нм, z = 4, пространств. группа Рт3т; параметр решетки увеличивается со временем под действием собств. a-излучения плутония нитрида); т. пл. 25890C…

Химическая энциклопедия

ПЛУТОНИЯ НИТРИД PuN, черные кристаллы с гранецентрир. кубич. решеткой типа NaCl (а =0,4905 нм, z =4, пространств. группа Рт3 т; параметр решетки увеличивается со временем под действием собств. a-излучения П. н.); т. пл. 25890C (с разл.); плотн.

Химическая энциклопедия. — 1988

Русский язык

Нитр/и́д/ (соль азотистой кислоты).

Морфемно-орфографический словарь. — 2002

Примеры употребления слова нитрид

При окончательной отделке покрытия также применяется нитрид кремния и специальные стеклянные шарики.

Разработана технология изготовления приборов нитрида галлия на кремниевой подложке диаметром 150 мм

Нитриды

Нитриды галлия постепенно приходят на смену арсениду галлия: они позволяют получать более мощные приборы СВЧ-диапазона, работающие при более высоких температурах. До сегодняшнего дня в нашей стране создавались приборы нитрида галлия на кремнии диаметром менее 100 мм.

В лаборатории элементной базы наноэлектроники кафедры «Квантовая физика и наноэлектроника» МИЭТ создали технологию, позволяющую работать с пластинами нитрида галлия на кремниевой подложке диаметром 150 мм.

Это достижение миэтовских ученых стало прорывным в области технологий по СВЧ-элементной базе и вошло в программу развития Центра компетенций НТИ «Сенсорика», открытого на базе МИЭТ в прошлом году.

Первые пробы и результат

Физические принципы и формирования приборов нитридной группы были заложены и сформулированы еще нобелевским лауреатом Ж.И. Алферовым в те годы, когда он со своей командой занимался лазерами.

Именно на основе его разработок стали изготавливать детали и микросхемы для СВЧ-техники – нитридные гетероструктуры. Однако цена таких микросхем была огромной, потому что материалы подложки (того, на чем они держались) стоили огромных денег.

Когда задумались, как их удешевить, решили совместимость технологию, которая используется в мире для распространенных кремниевых подложек с диаметром 500 мм, и СВЧ-технологии с диаметром 50 мм (вот она — разница в цене). Трудозатраты при этом оставались теми же.

Однако перейти на больший диаметр не позволяло отсутствие отработанных надежных технологий изготовления. Поэтому стали искать возможности изготовить нитрид галлия на кремнии: сначала они были реализованы за рубежом, а потом и у нас.

Первые отечественные приборы были созданы в МИЭТ в 2012-м году на подложках нитрида галлия на кремнии диаметром 50 мм. Сначала они, конечно, были не очень хорошего качества, но принцип изготовления был применен. А в 2017-м МИЭТ вплотную подошел к тому, чтобы изготавливать нитрид галлия на приборы на подложках кремния диаметром 150 мм.

«Мы понимали, что если у нас это получится, то мы будем обладать технологиями мирового уровня, — рассказывает ведущий научный сотрудник МИЭТ, заведующий лабораторией «Элементная база наноэлектроники» кафедры «Квантовая физика и наноэлектроника» Владимир Егоркин. — Фирмы с мировым именем держат в секрете технологии изготовления таких пластин и составы рабочих структур, при том, что бизнес уже давно говорит о мощнейших характеристиках приборов на них».

Действительно, за рубежом есть даже такая услуга для компаний: вам проводят выращивание структуры по вашему заданию, при этом вся ответственность за «дизайн» структуры лежит на заказчике.

Ведь чтобы понять и смоделировать такую структуру, нужно быть высококвалифицированным специалистом в области физики полупроводниковых приборов.

Ученым МИЭТа удалось смоделировать, рассчитать и изготовить СВЧ приборы на пластинах диаметром 150 мм и создать экспериментальные образцы сверхмощных СВЧ-приборов, которые показали отличные характеристики, сравнимые с зарубежными аналогами.

«Овладев этой технологией, мы получили пробивное напряжение в районе 250 вольт! Сравните, у арсенида галлия, который использовался ранее, напряжение равняется 25-ти вольтам, — говорит Владимир Егоркин.

 — Такие мощности особенно важны для внедрения в России пятого поколения мобильной связи.

Количество подложек для производства СВЧ-приборов для телекоммуникаций можно сократить в два раза! Это, безусловно, существенно отразится на стоимости готовых микросхем».

Сейчас ученые МИЭТ находятся на этапе завершения процесса идеологии, создания алгоритмов и выбирают частотные диапазоны для того чтобы запустить производство микросхем на диаметре 150 мм для отечественных СВЧ-приборов нитрида галлия.

Как выращивается галлий на кремнии?

В первую очередь выращивается активная пленка, которая сама по себе состоит из нескольких слоев, выращенных друг за другом. Ее суммарная толщина колеблется в районе нескольких микрон.

Та часть, которая содержит в себе большие вольты, о которых мы говорили выше, сосредоточена как раз в толщине этого тонкопленочного материала.

После формирования пленки, на ней создаются рабочие структуры: транзисторы и микросхемы, которые выполняют функции, заложенные геометрией и топологией (травление, нанесение, нейтрализации, нанесения активных зон и т.д.) будущего СВЧ-прибора.

Кремний — остается несущей основой, без которой с такими толщинами работать физически невозможно. После этого пленку начинают «утонять» до 100 микрон (исходно толщины кремниевой пластины могут составлять 675, 950 микрон).

Чтобы обеспечить возможность подступиться к оставшейся толщине, на нее наклеивается матрица, которая держит всю эту конструкцию, и только после этого идет сошлифовка кремниевой части до 100 микрон. На остатке кремния доводятся все технологические операции контактирования с активными элементами. И только после такой ювелирной работы пластина разделяется на кристаллы, готовые для установки в СВЧ-приборы.

Первые пробы и результат

Физические принципы и формирования приборов нитридной группы были заложены и сформулированы еще нобелевским лауреатом Ж.И. Алферовым в те годы, когда он со своей командой занимался лазерами.

Именно на основе его разработок стали изготавливать детали и микросхемы для СВЧ-техники – нитридные гетероструктуры. Однако цена таких микросхем была огромной, потому что материалы подложки (того, на чем они держались) стоили огромных денег.

Когда задумались, как их удешевить, решили совместимость технологию, которая используется в мире для распространенных кремниевых подложек с диаметром 500 мм, и СВЧ-технологии с диаметром 50 мм (вот она – разница в цене). Трудозатраты при этом оставались теми же.

Однако перейти на больший диаметр не позволяло отсутствие отработанных надежных технологий изготовления. Поэтому стали искать возможности изготовить нитрид галлия на кремнии: сначала они были реализованы за рубежом, а потом и у нас.

Первые отечественные приборы были созданы в МИЭТ в 2012-м году на подложках нитрида галлия на кремнии диаметром 50 мм. Сначала они, конечно, были не очень хорошего качества, но принцип изготовления был применен. А в 2017-м МИЭТ вплотную подошел к тому, чтобы изготавливать нитрид галлия на приборы на подложках кремния диаметром 150 мм.

«Мы понимали, что если у нас это получится, то мы будем обладать технологиями мирового уровня, – рассказывает ведущий научный сотрудник МИЭТ, заведующий лабораторией «Элементная база наноэлектроники» кафедры «Квантовая физика и наноэлектроника» Владимир Егоркин.

– Фирмы с мировым именем держат в секрете технологии изготовления таких пластин и составы рабочих структур, при том, что бизнес уже давно говорит о мощнейших характеристиках приборов на них».

Действительно, за рубежом есть даже такая услуга для компаний: вам проводят выращивание структуры по вашему заданию, при этом вся ответственность за «дизайн» структуры лежит на заказчике.

Ведь чтобы понять и смоделировать такую структуру, нужно быть высококвалифицированным специалистом в области физики полупроводниковых приборов.

Ученым МИЭТа удалось смоделировать, рассчитать и изготовить СВЧ приборы на пластинах диаметром 150 мм и создать экспериментальные образцы сверхмощных СВЧ-приборов, которые показали отличные характеристики, сравнимые с зарубежными аналогами.

«Овладев этой технологией, мы получили пробивное напряжение в районе 250 вольт! Сравните, у арсенида галлия, который использовался ранее, напряжение равняется 25-ти вольтам, – говорит Владимир Егоркин.

– Такие мощности особенно важны для внедрения в России пятого поколения мобильной связи.

Количество подложек для производства СВЧ-приборов для телекоммуникаций можно сократить в два раза! Это, безусловно, существенно отразится на стоимости готовых микросхем».

Сейчас ученые МИЭТ находятся на этапе завершения процесса идеологии, создания алгоритмов и выбирают частотные диапазоны для того чтобы запустить производство микросхем на диаметре 150 мм для отечественных СВЧ-приборов нитрида галлия.

СПРАВКА:

Как выращивается галлий на кремнии?

В первую очередь выращивается активная пленка, которая сама по себе состоит из нескольких слоев, выращенных друг за другом. Ее суммарная толщина колеблется в районе нескольких микрон.

Та часть, которая содержит в себе большие вольты, о которых мы говорили выше, сосредоточена как раз в толщине этого тонкопленочного материала.

После формирования пленки, на ней создаются рабочие структуры: транзисторы и микросхемы, которые выполняют функции, заложенные геометрией и топологией (травление, нанесение, нейтрализации, нанесения активных зон и т.д.) будущего СВЧ-прибора.

Кремний – остается несущей основой, без которой с такими толщинами работать физически невозможно. После этого пленку начинают «утонять» до 100 микрон (исходно толщины кремниевой пластины могут составлять 675, 950 микрон).

Чтобы обеспечить возможность подступиться к оставшейся толщине, на нее наклеивается матрица, которая держит всю эту конструкцию, и только после этого идет сошлифовка кремниевой части до 100 микрон. На остатке кремния доводятся все технологические операции контактирования с активными элементами. И только после такой ювелирной работы пластина разделяется на кристаллы, готовые для установки в СВЧ-приборы.

Поделиться:
Нет комментариев

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Все поля обязательны для заполнения.

×
Рекомендуем посмотреть